LASERES BASADOS EN GASB INTEGRADOS EPITAXIALMENTE EN CHIPS FOTONICOS DE SILICIO

Informació del projecte

ID: CNS2023-145093

Data d’inici

01-04-2024

Data de finalització

30-03-2026

Coordinador institucional

Finançament

354 530,00 Euros

(Total amount or amount awarded)

Àmbit

País

Spain

Anàlisi d'autories institucional

Gómez Hernández, Víctor JesúsInvestigador principalMartín Romero, FernandoInvestigador/aMouriño Miñambres, PaulaInvestigador/aMonge Bartolome, LauraInvestigador/aResta López, RaquelInvestigador/a

10 d’octubre de 2024

Projectes d'R+D+i i ajudes

Ajudes per a contractes

LASERES BASADOS EN GASB INTEGRADOS EPITAXIALMENTE EN CHIPS FOTONICOS DE SILICIO

Investigadors/es:

Resta López, Raquel (Investigador/a); Monge Bartolome, Laura (Investigador/a); Mouriño Miñambres, Paula (Investigador/a); Martín Romero, Fernando (Investigador/a); Gómez Hernández, Víctor Jesús (Investigador principal (IP))

Informació del projecte

Finançament

Àmbit

País

Spain

Anàlisi d'autories institucional

Compartir

LASERES BASADOS EN GASB INTEGRADOS EPITAXIALMENTE EN CHIPS FOTONICOS DE SILICIO

Indicis de qualitat

Finançador

Coordinador institucional